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旺季來(lái)臨,市場(chǎng)芯片較為缺貨,預(yù)估第四季內(nèi)存

更新時(shí)間:2017-10-13 點(diǎn)擊次數(shù):字號(hào):T|T

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,受智能手機(jī)市場(chǎng)傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)需求提升,以及主流供貨商有意提高行動(dòng)式內(nèi)存(Mobile DRAM)價(jià)格,縮小各類應(yīng)用產(chǎn)品價(jià)差的影響,第四季行動(dòng)式內(nèi)存漲幅平均落在10%~15%,居整體DRAM產(chǎn)業(yè)漲幅之冠,終結(jié)自2017年初以來(lái)行動(dòng)式內(nèi)存單位平均價(jià)格低于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存(PC DRAM)單位平均價(jià)格的狀況。

DRAMeXchange研究指出,以現(xiàn)行主流供貨商的產(chǎn)能計(jì)劃來(lái)看,2018年將不會(huì)有大幅擴(kuò)廠計(jì)劃帶來(lái)的產(chǎn)能貢獻(xiàn),主要是針對(duì)既有廠房進(jìn)行產(chǎn)能優(yōu)化并透過制程轉(zhuǎn)進(jìn)提高產(chǎn)出。

 

在產(chǎn)能增加有限的情況下,預(yù)估2018年DRAM各項(xiàng)應(yīng)用類別產(chǎn)能仍全面趨緊,再加上北美數(shù)據(jù)中心需求不墜(Google、Facebook、Amazon、Microsoft等)以及Intel服務(wù)器Purley平臺(tái)推出等,都使服務(wù)器市場(chǎng)需求依舊強(qiáng)勁,恐增添2018年行動(dòng)式內(nèi)存在價(jià)格和供貨上的變量。

展望2018年第一季價(jià)格走勢(shì),進(jìn)入傳統(tǒng)淡季,預(yù)估供料緊張的狀況會(huì)較今年第四季舒緩,但在價(jià)格表現(xiàn)上,受到DRAM整體市場(chǎng)需求不弱的影響,預(yù)估2018年第一季合約價(jià)格下跌機(jī)率不高。

中低端智能手機(jī)硬件升級(jí),成帶動(dòng)內(nèi)存搭載容量成長(zhǎng)主引擎

觀察行動(dòng)式內(nèi)存市場(chǎng),受內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲的影響,今年下半年Android陣營(yíng)推出的旗艦新機(jī)的主流容量多與上半年持平,以LPDDR4X 6GB、4GB為主,而iPhone陣營(yíng)則是以3GB為主,兩大陣營(yíng)今年在行動(dòng)式內(nèi)存容量提升上皆無(wú)太多著墨。

DRAMeXchange分析,在內(nèi)存價(jià)格居高不下的情況下,將壓抑各智能手機(jī)品牌廠提升中高端手機(jī)內(nèi)存容量的意愿,2018年內(nèi)存搭載容量主要成長(zhǎng)動(dòng)能,將來(lái)自于中低端智能手機(jī)在面板、相機(jī)鏡頭等硬件規(guī)格提升,帶動(dòng)的行動(dòng)式內(nèi)存容量提升需求。

就行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)品世代轉(zhuǎn)進(jìn)而言,受智能手機(jī)市場(chǎng)需求及主流供貨商的生產(chǎn)計(jì)劃帶動(dòng),LPDDR4系列將正式取代LPDDR3成為2018年的行動(dòng)內(nèi)存主流,以旗艦機(jī)及中高端手機(jī)應(yīng)用為主;LPDD3將逐漸勢(shì)微,主要應(yīng)用在中低階及入門款智能手機(jī)的eMCP;共享行動(dòng)式內(nèi)存的平板電腦在Intel陸續(xù)推出新的應(yīng)用平臺(tái)后,也由LPDDR3分離式行動(dòng)內(nèi)存(discrete type)逐步轉(zhuǎn)往LPDDR4分離式行動(dòng)內(nèi)存,以利整體效能的提升。

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