韓國存儲器大廠SK海力士（SK Hynix）宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大存儲器擴產(chǎn)，讓3D NAND型存儲器戰(zhàn)火提前引爆。市場正密切注意三星和美光的動作，擔心DRAM漲勢將提前劃下句點。

韓國存儲器大廠率先提早資本支出的行動，為兩大存儲器一片缺貨聲中，投下震撼彈。根據(jù)韓國媒體報導，SK海力士追加今年資本支出至9.6萬億韓元（約86.1億美元），比年初宣布的數(shù)字增加37%，比去年的資本支出增逾五成。

SK海力士上修資本支出，想讓新廠提前完工。SK海力士無錫廠主要以生產(chǎn)DRAM為主；另在南韓清州廠主要生產(chǎn)3D NAND Flash。這兩項新建投資原定完工時間是2019年上半年，如今將提早至明年第4季，比預定時間提早半年。

雖然SK海力士強調(diào)這次投資只要用于技術升級，即使新廠落成，也不會造成整體存儲器暴增，估計DRAM和NAND Flash產(chǎn)能只會增加3~5%，不會造成存儲器供過于求。

不過，SK海力士這項擴大投資，已引起法人圈擔心存儲器烏云將提前飄至。稍早已有美系外資下修美光營運展望，導致美光股價自32.95美元高檔，連續(xù)五個交易日呈現(xiàn)下跌，上周五（28日）跌破30美元支撐，以29.28美元作收，跌幅3.2%，波段跌幅逾11%。

某市調(diào)機構(gòu)稍早更認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西數(shù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，而且未來還有新廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當高。