東芝（TOSHIBA）旗下快閃存儲器部門，最近常因分拆、出售消息上新聞版面，但是技術(shù)突破并未因此停歇。稍早前才發(fā)表包含96層堆疊的3D NAND Flash，以及首款基于3D NAND Flash制程生產(chǎn)的QLC類型顆粒等消息；而11日，東芝又再宣布3D NAND Flash結(jié)合TSV技術(shù)，單一顆粒容量將能達到1TB。

2015年夏天，東芝曾發(fā)表TSV（Through-Silicon Via，直通硅晶穿孔）技術(shù)導入應(yīng)用消息，取代傳統(tǒng)打線接合（Wire bonding）的裸晶堆疊封裝技術(shù)，能夠提高產(chǎn)品資料傳輸吞吐量，并且降低消耗功率。11日又再宣布，正火熱的3D NAND Flash率先導入TSV技術(shù)應(yīng)用，傳輸速率、容量、功耗表現(xiàn)又將創(chuàng)下新紀錄。

▲ 東芝將TSV技術(shù)導入至3D NAND Flash產(chǎn)品線應(yīng)用

這款BiCS FLASH本質(zhì)上是屬于TLC架構(gòu)類型，將以48層堆疊3D NAND Flash制程，結(jié)合TSV技術(shù)進行生產(chǎn)，其Toggle DDR介面具有1066Mbps傳輸速率。東芝所標示裸晶堆疊封裝數(shù)量，雖然維持既有的8、16層，但是已經(jīng)足以提供單顆容量達512GB、1TB產(chǎn)品，意味單一裸晶容量有512Gbit（64GB）這么大。

▲TSV技術(shù)應(yīng)用示意圖

東芝今年2月曾發(fā)表512Gbit產(chǎn)品訊息，但那是基于64層堆疊的3D NAND Flash，現(xiàn)在導入TSV技術(shù)應(yīng)用的3D NAND Flash只有48層，可見未來還有容量密度提升空間。東芝已在6月試產(chǎn)，正式樣品將于下半年陸續(xù)出貨，并預定8月在美國舉行的Flash Memory Summit活動，展出與介紹這項技術(shù)產(chǎn)品。